シリコン窒化酸化過程の角度分解光電子分光解析

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概要

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高信頼性ゲート絶縁膜として、シリコン窒化酸化膜が注目されているが、その形成過程は明らかではない。本研究では、励起窒素、酸素の混合ガスを用いて窒化酸化を行った場合の窒素の結合状態を、角度分解型X線光電子分光分析により解析し、形成過程の解明を試みた。高温、高真空の条件では時間の増加に伴い、酸素濃度と窒素濃度は飽和状態にあることが分かった。また、温度により結合状態が異なり、700℃ではN-Si_3結合が大部分を占めるが、800℃ではN-Si_2結合とN-Si結合も存在することが分かった。また、角度分解による非破壊方向分析で、最表面付近にのみ膜ができたことを確認した。
社団法人電子情報通信学会の論文
1998-05-22

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