フッ素及び励起窒素処理による酸化膜表面窒化プロセス(2)

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
集積回路中のpチャネルMOSFETにおいて、多結晶シリコンゲート電極中のボロンが、薄い酸化膜を突き抜けてシリコン基板中に拡散し、MOSFETの閾値電圧を変動させる問題が生じている。現在、このボロンの拡散を抑制するために、シリコン酸化膜表面の窒化が要求されている。そこで我々は、酸化膜をフッ素処理した後、プラズマ励起した窒素中にさらす事で、シリコン酸化膜の表面窒化を行った。本報告では、表面窒化を行った酸化膜についての、窒素とフッ素の深さの深さ方向濃度分布をX線光電子分光法で分析した。また、表面窒化を行った酸化膜を用いてMOSキャパシタを作製し、電気的特性を調べた。
社団法人電子情報通信学会の論文
2000-05-12

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク