フッ素及び励起窒素処理による酸化膜表面窒化プロセス
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概要
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集積回路中のpチャンネルMOSFETにおいて、多結晶シリコンゲート電極中のボロンが、薄い酸化膜を突き抜けてシリコン基板中に拡散し、MOSFETの閾値電圧を変動させる問題が生じている。現在、このボロンの拡散を抑制するために、シリコン酸化膜表面の窒化が要求されている。そこで我々は、酸化膜をフッ素処理した後、プラズマ励起した窒素中にさらす事で、シリコン酸化膜の表面窒化を行った。本論文では、表面窒化を行った酸化膜についての、窒素とフッ素の深さ方向濃度分布と、角元素の結合状態をX線光電子光法で分析した。また、基板の表面形状を原子間力顕微鏡で調べた。
- 1998-05-22
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