三フッ化アセチルフロライドを用いたシリコン系材料のエッチング
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概要
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地球温暖化効果を引き起こさないシリコン材料エッチング用ガスとして分解・回収の容易な三フッ化アセチルフロライドガスを提案する。本報告では、リモートプラズマ励起しながら酸素を少量混合することにより、エッチング速度が高められ、同様な条件でのCF_4/O_2やC_2F_6/O_2系よりも反応性が高いことを示す。プラズマ発光分析により推定したフッ素ラジカル濃度の酸素分圧依存性と試料表面の光電子分光分析より、酸素添加効果は主に表面に吸着したフロロカーボン層の除去であると推定された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-05-12
著者
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齋藤 洋司
成蹊大学工学部電気電子学科
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齋藤 洋司
成蹊大学理工学部
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山崎 博史
成蹊大学工学部電気電子工学科
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毛利 勇
成蹊大学工学部電気電子工学科
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毛利 勇
セントラル硝子(株)化学研究所
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毛利 勇
セントラル硝子(株) 化学研究所
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