窒化酸化膜形成初期過程のXPS観察

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概要

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高信頼性ゲート絶縁膜として、窒化酸化膜が注目されているが、その形成過程は明らかではない。本研究では、励起窒素、酸素の混合ガスを用いて窒化酸化を行った場合の窒素の結合状態をX線光電子分光分析により解祈し、形成初期過程の解明を試みた。高温600〜800℃、高真空10^<-9>Torrの条件では時間の増加に伴い、窒素濃度は増加、酸素濃度は飽和傾向にあることが分かった。また、形成初期においてN-Si_2結合とN-Si_3結合が存在し、時間の増加に伴いN-Si_3結合が占めていくことが分かった。
社団法人電子情報通信学会の論文
1997-05-23

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