p-フェニレンオリゴマ蒸着膜における磁界配向効果(I)
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概要
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ベンゼン環は反磁性の異方性を持っているので, 磁界の方向に対し磁気エネルギー的に有利である特定の方向に配向することが知られている. 今回, 低分子材料の磁界配向効果を検討するために, p-フエニレンオリゴマの4量体(4P), 5量体(5P)の蒸着膜作成時の磁界の有無による2種類の有機薄膜を作成し, X線回折, 赤外反射吸収分光(IR-RAS), フォトルミネッセンス(PL)により評価した. 磁界の印加には磁石を用いた. 低磁界(0.13T)にもかかわらず, 上記の測定においてPLスペクトルに差があり, 磁界の有無により配列状態に変化があることが分かった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-01-28
著者
-
森 竜雄
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻
-
水谷 照吉
名古屋大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
森 健二郎
名古屋大学
-
Muro T
Jasri Spring-8
-
森 竜雄
名古屋大学
-
水谷 照吉
名古屋大学
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