シミュレーションによる有機EL素子中におけるキャリア挙動の解析
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概要
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我々は一次元のホッピング電導モデルに基づく、分子一つがホッピングサイト一つに対応した非連続的なモデルを提案し、有機発光素子の発光層内部のキャリア挙動を計算した。発光層内の電子の移動度が正孔の移動度に比べて約100倍高い場合、電子は発光層内で一様に分布する。一方正孔は発光層陽極界面近傍に蓄積し、電子一正孔再結合領域は正孔の分布と一致した。この正孔の蓄積量は電界に非常に大きく依存した。またこの正孔の蓄積によって引き起こされる電界変歪は、発光層内部では無視できるほど小さかった。我々は電流の時間依存性についても検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-01-21
著者
-
森 竜雄
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻
-
Mizutani Teruyoshi
Depertment Of Electrical Engineering Nagoya University
-
水谷 照吉
名古屋大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
兼子 一重
名古屋大学大学院工学研究科創造工学センター
-
Muro T
Jasri Spring-8
-
今泉 要
名古屋大学
-
Mori Tatsuo
Department Of Electrical Engineering School Of Engineering Nagoya University
-
森 竜雄
名古屋大学
-
Mori T
National Lab. High Energy Physics Ibaraki
-
兼子 一重
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻
-
今泉 要
名古屋大学大学院工学研究科
-
兼子 一重
名古屋大学
-
水谷 照吉
名古屋大学
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