InSb基板上へのNb薄膜堆積のプロセス

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
ジョセフソン素子の多くはSi基板上に製作されているが,将来超伝導エレクトロニクスが半導体素子とともに用いられるようになると,Si基板以外の半導体基板上に作る必要がでてくる.また,このときにできる半導体/超伝導体の異種接合を積極的に使った電子デバイスも新デバイスという観点から,また物理的な興味からもおもしろい.我々は,Si以外の半導体基板,特に化合物半導体基板上に直接Nb薄膜を堆積している.また,Nb/AlO^x/Nbジョセフソン接合も製作している.これら薄膜構造の特性の改善やその再現性の向上のためには,薄膜構造作製前の基板表面の前処理を検討する必要がある.また、化合物半導体基板上のジョセフソン接合の作製の最適条件もSi上の場合と異なってくる可能性がある.本報告では,化合物半導体基板としてInSb基板を使い,予備加熱された基板上へ真空を破ることなくNb薄膜を堆積し,その膜の格子長を測定したので報告する.
社団法人電子情報通信学会の論文
1996-03-11

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク