Si,GaAs,InSb基板上のJosephson素子の製作.
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概要
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Si,GaAs,InSb基板にDCマグネトロンスパッタリング装置を使いNb薄膜をスパッタし,そのストレスを調べると共に各基板上にNb, AlOx-Al/Nbジョセフソン素子を製作し,基板依存性を調べた.GaAs基板上へのジョセフソン素子は,Si基板と同じプロセスでおこない成功した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-12-14
著者
-
中山 明芳
神奈川大学工学部
-
岡部 洋一
東京大学先端研
-
星 英伸
神奈川大学工学部電気工学科
-
長岐 貴之
神奈川大学工学部電気工学科
-
内野 剛史
神奈川大学工学部電気工学科
-
茅場 瑞樹
神奈川大学工学部電気工学科
-
志村 憲章
神奈川大学工学部電気工学科
-
太田口 智秀
神奈川大学工学部電気工学科
-
長岐 貴之
神奈川大学 工学部 電気工学科
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