表面清浄化されたInSb基板上へのNb薄膜の堆積.
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概要
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アニーリング処理により表面清浄化をおこなったInSb基板にin-situでNb薄膜を堆積し,そのストレスを調べた.またMBE法によりInSbのホモエピタキシャル成長も試みた.表面清浄化中やホモエピタキシャル成長中はRHEEDパターンにより基板の表面状態を観察した. InSb(111)B面を分子線強度比J_<Sb>/J_<In><1,基板温度Tsub=320[℃]で成長させるとIn安定化面のRHEEDパターン(3×1)があらわれることを確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-02-21
著者
-
中山 明芳
神奈川大学工学部
-
岡部 洋一
東京大学先端研
-
岡部 洋一
東京大学 先端科学技術研究センター
-
松永 英也
神奈川大学 工学部 電気工学科
-
植松 浩二
神奈川大学 工学部 電気工学科
-
小寺 薫
神奈川大学 工学部 電気工学科
-
長岐 貴之
神奈川大学工学部電気工学科
-
金谷 正幸
神奈川大学 工学部 電気工学科
-
木谷 智行
神奈川大学 工学部 電気工学科
-
高橋 渉
神奈川大学 工学部 電気工学科
-
長岐 貴之
神奈川大学 工学部 電気工学科
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