トンネルバリアの異なるNb/AlOx-Al/Nbジョセフソン素子の同時製作
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概要
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大きさが2インチ径の試料を移動することのできる,ロードロック式dcマグネトロンスパッタリング装置により,トンネルバリアの異なるNb, AlOx-Al/Nbジョセフソン素子を同時製作し,素子特性のトンネルバリア依存性を調べた.I-V特性は,Al膜厚が3nmのときにもっともよいRsg/Rn値を示し,Al膜厚が15nm以上で,ギャップ電圧付近における準粒子特性の立ち上がりが顕著に傾いた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-02-16
著者
-
中山 明芳
神奈川大学工学部
-
岡部 洋一
東京大学先端研
-
難波 弘行
神奈川大学工学部電気工学科
-
嶋田 淳一
神奈川大学工学部電気工学科
-
山本 一博
神奈川大学工学部電気工学科
-
小寺 康之
神奈川大学工学部電気工学科
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