C-8-19 超伝導薄膜に垂直な外部磁界印加によるジョセフソン接合のI_c-H特性(C-8.超伝導エレクトロニクス)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-03-08
著者
-
中山 明芳
神奈川大学工学部
-
阿部 晋
神奈川大学工学部
-
渡邉 騎通
神奈川大学工学部
-
畔上 昭司
神奈川大学工学部・ハイテクリサーチセンター
-
斉藤 優紀
神奈川大 工
-
相澤 邦守
神奈川大学工学部電気電子情報工学科
-
齋藤 優紀
神奈川大学工学部電気電子情報工学科
-
岩上 佑樹
神奈川大学工学部電気電子情報工学科
-
久保 勝也
神奈川大学工学部電気電子情報工学科
-
渋谷 直樹
神奈川大学工学部電気電子情報工学科
-
東郷 寛司
神奈川大学工学部電気電子情報工学科
-
岩上 祐樹
神奈川大学工学部電気電子情報工学科
-
阿部 晋
神奈川大学
-
畔上 昭司
神奈川大学工学部
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畔上 昭司
神奈川大学工学部電気電子情報工学科
-
相澤 邦守
神奈川大学工学部:神奈川大学ハイテクリサーチセンター
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