相澤 邦守 | 神奈川大学工学部電気電子情報工学科
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概要
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高畑 秀幸
神奈川大学工学部電気電子情報工学科:神奈川大学ハイテクリサーチセンター
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菊地 良祐
神奈川大学工学部電気電子情報工学科:神奈川大学ハイテクリサーチセンター
著作論文
- C-8-13 ダブル接合ジョセフソン素子の2次元磁場変調特性(C-8. 超伝導エレクトロニクス, エレクトロニクス2)
- C-8-12 ジョセフソン接合に垂直な外部磁界印加によるI_c-H特性のヒステリシス(C-8. 超伝導エレクトロニクス, エレクトロニクス2)
- C-8-19 超伝導薄膜に垂直な外部磁界印加によるジョセフソン接合のI_c-H特性(C-8.超伝導エレクトロニクス)
- C-8-18 中間層膜厚の異なるダブルバリア超伝導接合の同時製作と外部磁場の二次元走査による接合評価(C-8.超伝導エレクトロニクス)
- C-8-2 外部磁場の二次元走査によるダブルバリア超伝導接合の超伝導電流の変調