GaAs,InSb基板上へのNbジョセフソン素子の製作プロセス
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概要
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ジョセフソン素子の多くはSi基板上に製作されているが、将来超伝導エレクトロニクスが半導体素子とともに用いられるようになると、Si基板以外の半導体基板上に作る必要がでてくる。また、このときにできる半導体/超伝導体の異種接合を積極的に使った電子デバイスも新デバイスという観点から、また物理的な興味からおもしろい。Si以外の半導体基板、特に化合物半導体基板上に作製する場合、接合作製前の基板表面の前処理を検討する必要があり、接合作製の最適条件もSi上の場合と異なってくる可能性がある、本報告では、GaAsおよびInSb基板上へのNb/AIO_X/Nbジョセフソン素子の製作について述べる。またGaAs等の基板上にInsb薄膜を堆積しその上にジョセフソン素子を製作しているので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
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