高速・低電力ECL/CMOS変換回路
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概要
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高速かつ低電力なECL(VEE=-5.2V), CMOS(VDD=+3.3V)レベル変換回路を実現したので報告する。ECLからCMOSへのレベル変換回路では、ラッチを構成するインバータの間にその結合をオン/オフするスイッチを介する構成とした。CMOSからECLへのレベル変換回路では、GND付近に小振幅の相補信号を生成し、レベルシフトした後、ECL回路を両相駆動する構成とした。その結果、高速な応答と消費電力の低減を両立させることができた。試作・評価により、いずれの回路とも600MHz以上の変換動作が可能であり、かつ、1.6mW以下の低消費電力(600MHz)であることを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-06-25
著者
-
鈴木 正雄
NTTエレクトロニクステクノロジー(株)
-
大友 祐輔
日本電信電話株式会社nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
安田 禎之
NTTネットワークサービスシステム研究所
-
安田 禎之
NTT LSI研究所
-
大友 祐輔
NTT LSI研究所
-
大友 祐輔
Ntt マイクロシステムインテグレーション研
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