酸化タンタルを用いたpH用イオン選択性トランジスター
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概要
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金属酸化物半導体(MOS)電界効果トランジスターの原理を利用したion sensitive field effect transistor(ISFET)を試作した.このISFETは,MOS電界効果トランジスターと類似の構造をしているが,ゲート金属の代わりに,酸化タンタルの薄膜がイオン選択性膜として存在している.ISFETを溶液に浸すと,溶液と酸化タンタルとの間に発生する界面電位によってドレイン電流が変化する.この電流値によってpH濃度を測定することができる.その感度を1pH当たりの電位変化に換算すると約56mVであった.又,応答速度も非常に大きく数秒以内で安定となり,再現性もよくアルカリ誤差もほとんど生じなかった.
- 社団法人日本分析化学会の論文
- 1980-09-05
著者
-
仁木 栄次
東京大学工学部工業化学科
-
菅野 卓雄
東京大学工学部教授
-
仁木 栄次
東京大学工学部工業化学科:(現)職業訓練大学校
-
秋山 竜雄
東京大学工学部工業化学科
-
菅野 卓雄
東京大学工学部
-
仁木 栄次
東京大学工学部
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