シリコン-オン-サファイアを用いたイオン選択性電界効果トランジスターの製作
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概要
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Ion-sensitive field effect transistors (ISFET) were fabricated using a silicon-on-sapphire wafer. Since this ISFET was made on the insulator, the leakage current was greatly decreased. Also the manufacturing process was simplified and the mechanical strength of the device was increased by using the sapphire. The sensitivity to hydrogen ion of this sensor was the same as that of the ISFET made of usual Si wafer, and the electrode responded in the pH 2〜10 range with a slope of about 52mV decade^<-1>
- 社団法人日本分析化学会の論文
- 1981-11-05
著者
-
仁木 栄次
東京大学工学部工業化学科
-
菅野 卓雄
東京大学工学部教授
-
仁木 栄次
東京大学工学部工業化学科:(現)職業訓練大学校
-
小宮 幸治
東京大学工学部工業化学科
-
岡部 洋一
東京大学工学系研究科
-
岡部 洋一
東京大学工学部電子工学科
-
秋山 竜雄
東京大学工学部工業化学科
-
岡部 洋一
東京大学工学部電気工学科
-
菅野 卓雄
東京大学工学部
-
仁木 栄次
東京大学工学部
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