化合物半導体表面不活性化技術
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 半導体プロセスのモデリング (VLSIのCAD)
- ジョセフソン効果とその応用素子 : 特にディジタル回路用素子を中心として
- 金薄膜中のホット・エレクトロンの自由行程 : 薄膜・応用電子物性シンポジウム
- これからの大学教育 : 理工系を中心として(これからの大学教育)
- 半導体の応用(その1) : 超LSIとその波及効果
- セッション印象記 : Silicon and Related Materias : 第4回気相成長およびエピタキシー国際会議ならびにスペシャリスト・スクール
- Si上へのSiC結晶の成長 : 結晶成長
- Si-SiO_2の構造 : 半導体
- ホット・電子の格子振動による散乱(I) : 表面物理, 薄膜
- シリコンMOSデバイスの研究とLSI技術教育
- 化合物半導体表面不活性化技術
- シリコン-オン-サファイアを用いたイオン選択性電界効果トランジスターの製作
- 酸素プラズマ中でのGaAsの陽極酸化における酸化膜成長機構
- 酸化タンタルを用いたpH用イオン選択性トランジスター
- M-ZnSショットキー・ダイオードによる真空中への電子放出
- ショットキーエミッタを用いたホット電子の真空中への放出
- タイトル無し