1p-T-11 熱処理したZnSeの光吸収帯
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1982-03-15
著者
-
岸田 悟
鳥取大学大学院工学研究科
-
岸田 悟
鳥取大工
-
岸田 悟
鳥大工
-
松浦 興一
鳥取大工
-
鶴見 一郎
鳥取大工
-
福間 宏之
鳥取大工
-
松浦 興一
鳥取大学工学部電気電子工学科
-
松浦 興一
鳥取大学工学部
関連論文
- 声紋による個人認証システムの構築
- Cu-rich 融液から育成したBi-2212超伝導単結晶の光電子分光
- 多元高周波マグネトロンスパッタ法による高品質Bi_2Sr_2CaCu_2O_y超伝導薄膜の作製
- Heガスを用いたBi_2Sr_2Ca_Cu_nO_yスパッタ薄膜の組成制御
- 堆積部位に磁場を印加しつつ堆積した高周波マグネトロンスパッタ法によるBi_2Sr_2Ca_Cu_nO_y超伝導薄膜の作製
- 磁場印加型高周波マグネトロンスパッタ法によるBi系超伝導薄膜の作製
- 階層型ニューラルネットワークを用いた声紋による個人認証システムの構築
- 指紋と声紋によるハイブリッド認証システムの構築
- B-18-2 ニューラルネットワークを用いた声紋による個人認証システムの構築(B-18.バイオメトリクス・セキュリティ,一般講演)
- 音声による個人認証システムの構築
- GaドープZnO薄膜における不揮発性抵抗変化現象の成膜雰囲気依存性
- 大面積透明フレキシブルオールGaドープZnO抵抗変化メモリ(ReRAM)の作製と評価
- フォーミングを必要としない抵抗変化メモリ(ReRAM)の作製に関する研究
- 高周波マグネトロンスパッタ法によるBaTiO_3/Pt自立膜の作製と評価
- ニューラルネットワークを用いた高速フーリエ変換前処理法における指紋照合システムの構築
- 鳥取大学工学部電気電子工学科における教育改革と評価
- ニューラルネットワークを用いた指紋照合システムの性能の改善
- 指紋による個人認証へのニューラルネットワークの適用(音声・音響情報システム及び一般)
- ニューラルネットワークを用いた指紋照合システム
- 点字翻訳へのニューラルネットワークの適用
- ニューラルネットワークを用いた指紋照合システムの構築
- Bi系高温超伝導薄膜
- NiOを用いた抵抗変化型メモリ(ReRAM)の結晶性とメモリ特性
- BaTiO_3自立薄膜におけるクラック密度の低減と配向性の成長基板温度依存性
- ニューラルネットワークの化学分析への適用
- Ba_Rb_xBiO_yスパッタ薄膜の作製
- 種々の雰囲気におけるBi_2Sr_2CaCu_2O_y 単結晶表面の加熱処理効果
- 化学分析における自己組織化マップ(SOM)の応用
- 高周波マグネトロンスパッタ法によるBaRbBiO薄膜の作製
- 清浄化したBi系単結晶のX線光電子分光による状態分析
- BaRbBiO超伝導セラミックスのX線光電子分光測定
- ニューラルネットワークの定量分析への適用
- 分析データへのニューラルネットワークの適用
- 自己組織化マップ(SOM)の化学データ分析への応用
- 電子分光法による酸化シリコン測定時のダメージについて
- 顔画像の表情認識問題における階層型ニューラルネットワークの適用
- 高周波マグネトロンスパッタ法によるバイアス印加時のBi_2Sr_2Ca_Cu_nO_y超伝導薄膜の作製
- X線光電子分光法で評価したBi_2Sr_2CaCu_2O_y(Bi系)超伝導体の清浄化
- 点字変換システムへのニューラルネットワークの適用
- ニューラルネットワークによる分かち書き
- プローブ結合型マイクロストリップ共振器法によるBi-Sr-Ca-Cu-Oウィスカの表面抵抗測定
- プローブ結合型マイクロストリップ線路共振器法による線状試料の表面抵抗測定の一検討
- 最近の分析装置に望むこと
- ニューラルネットワークを用いた指紋照合システムの性能の改善
- 指紋による個人認証へのニューラルネットワークの適用(音声・音響情報システム及び一般)
- 指紋による個人認証へのニューラルネットワークの適用(音声・音響情報システム及び一般)
- Bi_2Sr_2Ca_1Cu_2O_y単結晶の磁束量子観察
- Bi系超伝導薄膜作製に及ぼす活性酸素の効果-薄膜作製時におけるプラズマ発光分光分析-
- He-O_2ガスを用いた高周波マグネトロンスパッタ法によるBi-Sr-Ca-Cu-O薄膜の作製
- 強磁性体/超伝導体構造の製作とその特性に関する研究
- マニューシャ法により得られた指紋の特徴点とニューラルネットワーク用いた認証システムの構築
- 80K相Bi系バルク単結晶のXPS測定
- 不純物を添加したBi系超伝導単結晶のXPS測定
- 二次電子像によるC-AFM抵抗書き込み領域識別技術の適用によるReRAM動作機構の解明(シリコン関連材料の作製と評価)
- Bi-Sr-Ca-Cu酸化物超電導体へのPb酸化物添加効果
- Bi-Sr-Ca-Cu酸化物超伝導体表面への電極形成
- Bi系酸化物超伝導セラミックスへの電極形成
- 距離素子を用いた階層型ニューラルネットワーク
- Kohonenモデルにおける側方相互作用と近傍形状についての考察
- 4a-AE-7 電子線照射したZnSの赤外発光と光吸収
- 反射高速電子線回析およびX線光電子分光法による Bi 系超伝導バルク単結晶上の CeO_2 薄膜の評価
- Bi系バルク単結晶表面上へのY_2O_3の成長
- 80K相Bi系超伝導単結晶上でのAu及びAg薄膜成長の比較
- 27p-E-1 ZnSの近赤外発光の過渡特性
- Bi系酸化物高温超伝導バルク単結晶表面上への金属および絶縁薄膜の成長
- 28a-RC-11 ZnSのF^+発光の過渡特性
- Necked Ampouleを使用したZnSe単結晶の育成
- 14p-L-1 中性子照射したZnSeの光吸収帯
- 1p-T-11 熱処理したZnSeの光吸収帯
- ZnSeの発光帯
- 2p-NJ-11 ZnSeの発光帯
- 2a-W-10 ZnSのF^+ 吸収帯の光退色
- 31a-G-13 ZnSeの中性子照射効果
- 昇華法によるZnSxSe1-x結晶の光学的性質
- 30p-J-11 ZnSe: Znの近赤外発光
- 31p GB-1 モーメント法によるZnSのF^+中心の光吸収帯の解析
- 31a GH-2 化学輸送法によるZmSの中性子照射効果
- 色中心による吸収帯の総和則
- 31p-BB-5 着色したZnSの光電導スペクトルの測定
- 31p-BB-4 ZnSのF^+中心のアニールと赤外発光
- 9p-P-13 ZnSのF^+中心のanneal
- 5p-M-14 ZnSのF^+発光
- 5p-M-13 ZnSの2.3eV吸収帯のannealingとbleaching
- 階層型ニューラルネットワークの学習における付加項の探索
- 自己最適化ニューラルネットワークの応用
- 隠れユニット削減システムにおける相関と分散係数の最適化
- 隠れユニット自動削減ニューラルネットワークの構築
- 各種のファジィ推論法による模型自動車の走行制御シミュレーション
- 汎化能力向上のための階層型ニューラルネットワークの条件付き付加項
- 自己組織化マップを用いた多次元データの確率密度分布の可視化
- 高用波マグネトロンスパッタ法による 80K 相 Bi 系超伝導薄膜の作製
- 巡回セールスマン問題へのS0M繰り返し法の応用
- Kohonen自己組織化特徴マップを用いた巡回セールスマン問題解法の改良
- 多都市, 例えば米国532都市TSP問題でのSOM法の最適化
- Arイオンソフトエッチングを用いた微細接続孔内の自然酸化膜除去効果
- モンテカルロシュミレーションを用いた、次世代CMOSデバイス対応ソフトエッチコンタクトプロセスの開発
- コリメートスパッタ法で形成したTiN膜の特性
- 階層型ニューラルネットワークにおける隠れユニットの自動削減システムの検討
- 階層型ニューラルネットワークのボタン選定問題への適用
- 糸-ボタン問題における階層型ニューラルネットワークの汎化能力