窒素処理がサトウキビの成長と光合成速度に与える影響

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サトウキビはC_4型光合成経路を有し, 光合成からみた窒素利用効率は極めて高いと云われる。本研究では, サトウキビの成長と光合成速度に与える窒素処理の影響を調べた。処理は水耕液中に含まれる窒素源としての硝酸アンモニウム(NH_4NO_3)の濃度を6段階に分け, 与えた。葉の窒素含量は処理濃度に比例して増大した。ON区の葉の窒素含量は0.81%で, 2N区のそれは2.28%であった。また, 草丈, 葉数も窒素処理濃度が上昇するにつれ増大した。処理開始後104日目に比較したところ, ON区の草丈は2N区の約半分であった。光合成速度及び蒸散速度の最大値は2N区で見られ, 最小値はON区ではなく1/3N区で認められた。1N区の葉身を用いて葉の各部位の窒素含量を比較したところ, 葉身上部が基部に比較して高く, 中肋は葉鞘とほぼ同じであった。SPADとクロロフィル含量との間には, 極めて高い正の相関関係が認められた。しかし, 両者間の回帰式の傾きは葉位によって異なり, サトウキビの葉にSPADを用いる場合, 注意を要する。"光-光合成曲線"に対する窒素含量の影響を調べたところ, 低窒素区では飽和型に, 高窒素区では不飽和曲線となった。ON区の最大光合成速度は2N区のものに匹敵し, 窒素を与えていないにも関わらず高い値を示した。
琉球大学の論文
1999-12-01

窒素処理がサトウキビの成長と光合成速度に与える影響

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