Ci- 光合成曲線を用いたサトウキビ葉身の光合成速度に対する支配要因の解析
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概要
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サトウキビ7品種・系統を用いて, "Ci-光合成曲線"によるサトウキビ葉身の光合成速度の支配要因を解析した。"Ci-光合成曲線"から, CO_2補償点, 炭素固定効率(初期勾配), 大気CO_2条件の光合成速度と気孔伝導度, 飽和段階(800ppm以上)の光合成速度, および"光-光合成曲線"の初期勾配から光利用効率を求め, それぞれの相関関係を検討した。品種・系統間で比較した場合, 大気CO_2下の光合成速度, 飽和段階の光合成速度および光利用効率に統計的な有意差が認められた。大気CO_2下における光合成速度に対し各種モデル式を用いて解析したところ, 光化学系電子伝達および光合成産物蓄積に伴う無機リン酸の再生能力が気孔伝導度および炭素固定系活性に比べて制限程度は高かった。これより, 大気CO_2下では, 前者の要因が光合成速度を著しく律速していると考えられた。大気CO_2下の光合成速度と各関連要因との相関行列から, 光利用効率, 葉緑素含量および窒素含量との間に正の相関関係が認められ, 葉身窒素が光化学系に影響を与えていることが示唆された。
- 琉球大学の論文
- 1998-12-01
著者
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