スポンサーリンク
Nec Ulsiデバイス開研 | 論文
- L帯100W高電圧動作FP-HFET
- Alダマシンプロセスによる多層配線形成
- ギガビットスケールDRAM用TiN/Ti-CVDコンタクト技術
- ボーダーレス配線側面でのvia接続
- 高温スパッタを用いたサブクォーターマイクロンのチタンサリサイド形成技術
- 20GHz帯高出力ヘテロ接合FETの開発 (半導体デバイス特集) -- (基盤技術)
- C-10-12 W-CDMA基地局用高効率150W HJFET
- 移動体基地局用200W GaAs HFET
- C-2-31 C帯60W AlGaAs/GaAs HFET電力増幅器
- EOSによる高出力FETのアンバランス動作解析
- MMICに於けるインダクタ素子の隣接効果
- HJ-FETを用いた3.4V,1.5GHz帯 デジタルセルラー用Multi-Chip ICモジュール
- スパイラルインダクタ特性の配線膜厚依存性検討
- 非線形入力容量を用いた低歪Ku帯高出力HJFET増幅器
- C-10-7 FP構造HFETのL帯50W高電圧動作
- EB部分一括露光マスクにおける電子散乱
- 微細構造内の金属汚染・イオン汚染分析 (特集:微細構造内の分析・観察技術)
- W及びTiの洗浄液中での溶解と再付着の検討
- DHF溶液中におけるSi基板表面のゼータ電位
- 0.15μm部分一括EB直描技術