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Nec Ulsiデバイス開研 | 論文

• 部分一括EB対応近接効果補正処理
• 微細コンタクトホール底Si表面自然酸化膜の制御
• 部分一括描画法におけるクーロン効果の検討
• デバイス製造プロセスと洗浄・クリーン化技術
• EB直描と光リソグラフィとの高次重ね合わせ補正方法
• 縦型DMOSFET出力タイプ・パワーIC用貼り合わせSOI基板

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