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NTT LSI 研究所 | 論文
- MOCVD成長GaAs、AlAsの表面ステップ形状
- MOCVD,MBE,CBE成長GaAsの表面平坦性のAFMによる評価
- メモリアクセスを低減する新アーキテクチャに基づく96並列データ駆動型ニューロエンジン
- メモリアクセスを低減する96並列データ駆動型ニューロエンジン
- GaAs,AlGaAs成長時の表面,界面のナノオーダ凹凸の制御
- ゼロサプレス型BDDを用いた系列長制限つき正規表現処理方法
- 低電力バイポーラ電流モード I/O 回路
- 低エネルギーバイポーラ電流モードI/O回路
- 0.5μmバイポーラデバイス : SST1C
- 10 Gbit/sシリコンバイポーラゲートアレイ
- SST-1Cを用いた超高速ゲートアレイの検討
- 高密度・大電流プラズマからの放射とその計測研究会プログラム
- スタブ型量子細線を用いた電界制御型量子干渉素子の三端子動作
- ドレイン電流成分に基づくMOSFET閾値電圧抽出
- 一次元バリスティック系におけるホール効果 : 横方向抵抗の量子振動
- 少数キャリア注入による GaAs ダイオードの水素誘起劣化
- 堆積時に窒素をドープしたa-Siを用いたポリバッファLOCOS技術工程が単純で将来の微細化に対応できる分離技術
- クォーターミクロンCMOSに適用した銅配線プロセス評価及びその電気特性への影響
- 堆積時に窒素をドープしたa-Siを用いたポリバッファLOCOS技術(2)
- 堆積時に窒素をドープしたa-Siを用いたポリバッファLOCOS技術