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NTT LSI 研究所 | 論文
- 浅溝分離0.2μmCMOSと超低電力分周器への応用
- 窒素ドープ層を有するP^+ポリSiゲート電極技術のサブ1/4μm異極ゲートCMOSへの適用
- 全層SOR露光による超微細MOSIC (SOR発光技術)
- MTCMOS技術を用いた1V・CMOSメモリセルのソフトエラー耐性評価
- エネルギー遅延積を用いたMTCMOS回路V_最適化
- エネルギー遅延積を用いたMTCMOS回路性能評価
- MTCMOS回路における遅延時間の温度依存性
- 1V,10MHz動作Multi-Threshold CMOS論理回路技術
- 微細CMOSメモルセルのスタティックノイズマージン解析
- 光インタコネクションLSI構成法の検討
- 13p-Y-1 MBE成長機構のSEMその場観察による検討
- 27pC14 GaAsのMBE成長の高分解能SEMその場観察(気相成長IV)
- GaAs MBE 成長におけるGa液滴の挙動と成長制御
- 二分モーメントグラフを用いた大規模多項式の操作手法
- 0.5V MTCMOS/SlMOX回路
- 0.5V動作MTCMOS/SIMOX回路
- Cu 配線技術 - 化学気相成長および反応性イオンエッチング技術 -
- バイポ-ラ論理回路を用いた高速・大容量Bi-CMOS SRAMの構成法
- SDLM法閾値電圧定義の検証
- 704MHz,BiCMoS,ATMスイッチLSI