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東芝マイクロエレクトロニクス(株) | 論文
- 大容量Chain-FeRAM用高信頼微細キャパシタプロセス技術(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)
- 1トランジスタ/1キャパシタ型及びGAINセル型Chain FRAMの設計法
- 高速不揮発性メモリChain FRAMの設計法
- 高速、高密度Chain FRAMの設計
- 90nm node CMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発(新メモリ技術とシステムLSI)
- 90nmCMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- SOI上の1Tゲインセル(FBC)を用いた128MビットDRAM(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集2 DRAM)
- SOI上の1Tゲインセル(FBC)を用いた128MビットDRAM
- Floating Body RAM技術開発及びその32nm nodeへ向けたScalability(新メモリ技術とシステムLSI)
- A 160mW, 80nA Standby, MPEG-4 Audiovisual LSI with 16Mb Embedded DRAM and a 5GOPS Adaptive Post Filter(VSLI一般(ISSCC'03関連特集))
- 1.9GHz3V動作高率低歪CaAsFET
- 3.3V単一電源動作16Mb NOR FLASH MEMORY
- 1〜5V動作1Mb Full CMOS SRAMの高速・低スタンバイ電力回路設計
- 可変電源電圧(VS)方式による300MIPS/W VTCMOS RISCプロセッサ
- 可変電源電圧(VS)方式による300MIPS/W VTCMOS RISCプロセッサ
- 可変電源電圧(VS)方式による300MIPS/W VTCMOS RISCプロセッサ
- C-12-29 ATMスイッチのLSI間セル同期方式
- SOI上に形成された1Tゲインセル(FBC)を使ったメモリ設計 : 4F^2サイズの新原理メモリセルの提案
- 完全CMOSプロセスを用いたバイポーラ搭載高速キャッシュSRAM製造プロセスの開発
- 埋め込み素子/ウェル分離を用いた微細Full CMOS型SRAMの開発