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東芝マイクロエレクトロニクス(株) | 論文
- 5Gb/s 8×8 ATMスイッチLSI
- リテンション時間延長可能なスリープモードを搭載した65nm低消費電力混載DRAM(新メモリ技術とシステムLSI)
- インターフェース差し替え法を用いたロジック混載DRAMの設計 (「VLSI一般」)
- 可変リファレンス回路とダブルワード線パルス回路を搭載した3V動作1T1C型1Mビット強誘電体メモリ
- CMOS LSIにおけるCu配線のストレスボイディング現象 : via直下に出来るストレスボイドと配線レイアウトとの関係
- 1)2/3インチ60万画素FIT-CCDイメージセンサ(情報入力研究会)
- 2/3インチ60万画素FIT-CCDイメージセンサ : 撮像デバイス技術および関連技術分野 : 情報入力
- 7)可変電子シャッタ付1/2インチ40万画素CCDセンサ(〔テレビジョン方式・回路研究会テレビジョン電子装置研究会〕合同)
- 可変電子シャッタ付1/2インチ40万画素CCDセンサ : 方式・回路 : 電子装置
- 可変電子シャッタ付2/3インチ40万画素CCDエリアイメ-ジセンサ (CCDイメ-ジセンサと応用技術)
- 3-12 低残像埋めこみフォトダイオード形ITCCDセンサ
- 超小型・低価格パッケージに内蔵したPHS用正電源駆動型パワーアンプIC
- 混載DRAMに適したSOI上の1トランジスタゲインセル(FBC)を使ったメモリ : セル特性及びメモリ性能の評価結果(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- SOI上に形成した混載DRAM用メモリセル : FBC(Floating Body Cell)(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 混載DRAMに適したSOI上の1トランジスタゲインセル(FBC)を使ったメモリ : セル特性及びメモリ性能の評価結果(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- SOI上に形成した混載DRAM用メモリセル : FBC(Floating Body Cell)(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- ビット線直接読み出し方式を用いたチャネル消去型1.8V単一電源32MビットNORフラッシュメモリ
- ED2000-115 / SDM2000-97 / ICD2000-51 900MHz 18Mb DDR SRAM
- ED2000-115 / SDM2000-97 / ICD2000-51 900MHz 18Mb DDR SRAM
- ED2000-115 / SDM2000-97 / ICD2000-51 900MHz 18Mb DDR SRAM
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