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東芝マイクロエレクトロニクス(株) | 論文
- DDR仕様高速SRAM対応データバスアーキテクチャ
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- 高生産性、高性能マルチバンクRDRAMのための新規アーキテクチャ
- C-12-10 電圧変動率の低減化を図った低消費電力降圧回路
- 155Mb/s対応4ポート入り1チップATM物理層制御用LSI(QPLC)
- メディアプロセッサ向け350MHz動作 時分割多重8ポートSRAMとワード長可変乗算器
- マルチメディアLSIに適した専用メモリマクロの設計手法とMPEG2デコーダへの応用
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- センスアンプーフリップフロップを用いた200MHzを画像圧縮/伸張マクロセル : VLD, DCT/IDCT Macrocell using SA-F/F
- 155MbpsATM/AAL3/4/5プロトコル処理用LSI
- VT-CMOS技術のレイアウト設計手法 : MPEG4 Video & Audio Codec LSIへの適用
- NOR型フラッシュメモリの消去分布縮小を実現するサンプリングウィークプログラム方式
- 半導体デバイスの開発および量産におけるTEMの活用
- クロックによる2回アクセスのアキミュレータを用いた2次元IDCTマクロセル
- 遅延値を動的に変更可能な論理シミュレータの考察
- 対語型アナログレイアウトLSI設計システムの評価報告
- 遅延値が変更可能なコンパイル方式シミュレーション
- パス解析におけるEXCLUSIVE-ORゲートの解析手法の提案
- 精密エッチング処理室付きFE-SEM