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日立製作所半導体事業部 | 論文
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- ギガビットDRAM用高データレート回路技術
- 階段波出力バッファを用いた低ノイズ・高速データ伝送
- 2次元選択給電線方式によるギガビットDRAMのサブスレッショルド電流低減
- DRAMセルアレーを用いた10^6シナプス、デジタルニューロチップの検討(マイクロ・プロセッサ,ニューラルネットワーク)
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- 低電圧動作用0.3μmアナデジ混在CMOSプロセスデバイス
- 100MHz,500Kゲート,3.3V動作0.5μmCMOSゲートアレイ
- 低電圧・低電力時代の回路技術
- 低電力RISCプロセッサ向け2-portキャッシュメモリ
- オフセット電圧に影響されないセンスアンプを搭載した6ns 4Mb CMOS SRAM
- 大容量、低電圧、高速動作に適したSRAMメモリーセル技術Stacked Split Word-line(SSW)セル
- 12.5ns 16Mビット CMOS SRAM
- 2命令セットをサポートしたディジタルシグナルプロセッサ
- 21世紀に向けた半導体メモリの技術課題とロードマップ
- 高集積DRAM用CVD-Ta_2O_5キャパシタ技術
- 高速DRAMインタフェース用同期タイミング調整回路
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- 次世代携帯電話向けアプリケーションプロセッサ技術
- 携帯電話向けアプリケーションプロセッサによるMPEG-4エンコーダの実現