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富士通マイクロエレクトロニクス | 論文
- テスト生成における決定ノードの有効性解析(セッション3 : テスト生成, VLSI設計とテスト及び一般)
- 極薄Si直接窒化・酸化ゲート絶縁膜の評価
- 酸窒化ゲート絶縁膜を用いたPMOSの不均一なボロンの熱抜け
- 微細MOSトランジスタの加工揺らぎが二次元キャリア分布に及ぼす影響の直接測定
- Sub-100nm MOSFETのエクステンション領域におけるキャリア分布評価(先端CMOS及びプロセス関連技術)
- 窒化酸化膜緩衝層を用いた改良LOCOS (ON-LOCOS) 素子分離技術
- Ta_2O_5/SiO_2をゲート絶縁膜に用いた微細nMOSFETの試作
- 高濃度チャネルとカウンタドープを用いたサブ0.1μmSOI-MOSFET
- ディープサブミクロンCMOSインバータの遅延時間削減への検討
- ダブルゲートSOI-MOSFETのスケーリング理論に基づく伝搬遅延時間の解析
- 65nm node以降へ向けたNCS/Cu多層配線
- 有機酸ドライクリーニングによるコンタクトビア形成による歩留まり・信頼性の向上
- 不揮発性メモリ・ユニポーラ型ReRAMの90nm世代における回路動作の提案
- Cu/ポーラスLow-k多層配線におけるバリアメタル酸化の評価
- Cu-Mn合金を用いた高信頼超薄膜バリアメタル
- スパッタリング装置 (超LSI製造・試験装置ガイドブック 2004年版) -- (製造装置編)
- 招待講演 システムLSI混載用STT-MRAMの高性能化とBEOLへのインテグレーション (シリコン材料・デバイス)
- 招待講演 システムLSI混載用STT-MRAMの高性能化とBEOLへのインテグレーション (集積回路)
- 招待講演 混載SRAM置き換え用STT-MRAMの高性能化とインテグレーション (集積回路)