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三菱電機株式会社ulsi技術開発センター | 論文
- 電極構造が高誘電体キャパシタの電気的特性に与える影響
- 高抵抗基板とハイブリッドトレンチ分離を用いた0.18μmSOI技術のRF/アナログ混載への応用について
- 部分空乏型トランジスタを用いたCADライブラリ共有型SOI/CMOSゲートアレイ
- 高速通信用LSIにおけるSOI/CMOS 回路設計技術
- SC-12-3 EBSP による先端金属配線の結晶性評価技術
- LSI裏面からのTEM試料抽出による不良解析技術(:「LSIシステムの実装・モジュール化, テスト技術, 一般)
- 短TAT化を実現するTEM試料作製技術
- 高信頼性と高性能を両立するシステムオンチップ対応CMOS
- アクティブボディ効果を利用した低電源電圧動作可能なSOI CMOS低雑音増幅器
- 高NA(1.07)液浸リソグラフィ技術を用いた45nm世代高性能システムLSIプラットフォーム技術(CMOS6)
- 高性能45nmノードCMOSFET技術とストレス印加による移動度向上技術のスケーラビリティ(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- デュアルオフセット構造を有する135GHzf_SOI MOSFETの高周波アナログ混載技術
- SOIウェーハの表面欠陥評価とそのデバイス特性への影響
- コンダクティングAFMによる微小領域の故障診断技術(:「LSIシステムの実装・モジュール化, テスト技術, 一般)
- 酸化膜信頼性におけるTDDB初期故障特性評価
- 180MHz動作マルチプルレジスタ16MbシンクロナスDRAM
- シリコンウェハの技術動向 (超LSI製造・試験装置ガイドブック 2001年版) -- (総論)
- KrFリソグラフィー技術の現状(IT革命に向けたリソグラフィー技術論文)
- レジスト寸法の簡易予測方法
- 部分空乏型トランジスタを用いたCADライブラリ共有型SOI/CMOSゲートアレイ