KrFリソグラフィー技術の現状(IT革命に向けたリソグラフィー技術論文<小特集>)

概要

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IT革命をボトムで支えている半導体集積回路は, その誕生以来今日まで急速な高集積化・高機能化が継続的に進められてきた.この進歩は回路パターンの微細化によっており, 現在では最小寸法0.10μm以下の時代に入ろうとしている.これまでのデバイス生産における大部分のパターン形成は, 遠紫外線までの波長の光を光源とする光リソグラフィーによりなされてきた.本論文では, 現時点で量的生産に適用されている最先端技術であるKrFエキシマレーザ(波長248nm)を光源とするKrFリソグラフィーについて, その現状を解説する.1980年代までは光リソグラフィーで形成可能なパターン寸法は〜波長であるとされてきたが, それ以降強力に開発された超解像技術によりこの限界は大幅に小さくなっている.現在ではKrF波長において, 密集配置で0.11μmという1/2波長以下の寸法(ピッチで波長以下)をもつデバイスパターンの形成が報告されるに至っている.また, 孤立配置では<0.10μmのラインパターンの形成が既に一般的となっている.
2001-12-01