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三菱電機株式会社ulsi技術開発センター | 論文
- C-12-76 同期設計手法を用いたメモリに適した内部クロック発生回路
- ディープサブミクロン領域におけるACホットキャリヤ劣化寿命予測シミュレーション(ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)
- C-10-18 0.18μmメッシュアレイMOSFETの高周波特性に関する検討
- 2.4GHz帯Si-CMOS MMICフロントエンド (「VLSI一般」)
- C-10-7 2.4GHz/5.2GHz帯Si-CMOS MMIC低雑音増幅器
- C-10-11 2.4GHz帯 Si-CMOSフロントエンドMMICの試作
- A-7-12 多結晶シリコン薄膜トランジスタの特性バラツキを利用した人工指紋デバイスの提案
- 人工指紋デバイス : ロジックLSI互換プロセスで作成した多結晶シリコンTFTによるセキュリティーの作りこみ
- LSI裏面からのTEM試料抽出による不良解析技術(:「LSIシステムの実装・モジュール化, テスト技術, 一般)
- インピーダンス調整回路を用いた複合型電源電圧降下回路
- 高感度裏面エミッション検出によるウエハレベル故障分布解析
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- コンダクティングAFMによる微小領域の故障診断技術(:「LSIシステムの実装・モジュール化, テスト技術, 一般)
- SOIウェーハの表面欠陥評価とそのデバイス特性への影響
- Virtual Socket Architectureを用いたEmbedded DRAMの設計手法
- Virtual Socket Architectureを用いたEmbedded DRAMの設計手法
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- 0.8Vアレイ動作による,低消費・ワイドレンジDRAM
- ボディーコントロール回路を用いた低電圧/低消費電力SOI-DRAM
- 1.6Gバイト/秒高速1GビットシンクロナスDRAM設計技術 (特集"半導体") -- (メモリ)