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三菱電機株式会社ulsi技術開発センター | 論文
- 超低電圧DRAMの技術動向
- 階層型メモリブロックレイアウト方式と分散配置バンク構成を採用した200MHz 1GbitシンクロナスDRAMの設計技術
- 256MビットダイナミックRAM (特集"半導体")
- 昇圧センスグランド方式によるリフレッシュ特性の改善
- 複数メモリコア共有型メモリリペア解析回路の開発(:「LSIシステムの実装・モジュール化, テスト技術, 一般)
- 複数メモリコア共有型メモリリペア解析回路の開発(:「LSIシステムの実装・モジュール化, テスト技術, 一般)
- eDRAM 対応 包括的・リアルタイムリペア解析回路(CRESTA)の開発
- 統計的ばらつき予測のための回路モデルパラメータ生成システムの構築
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- 高速通信用LSIにおけるSOI/CMOS 回路設計技術
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- TCADを用いた実効チャネル長抽出法の有効性の検討
- TCADを用いた実効チャネル長抽出法の有効性の検討
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- マクロモデルを用いた回路シミュレーション高速化
- マクロモデルを用いた回路シミュレーション高速化
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- C-12-37 DRAMのアレイ電源低電圧化によるtRCD遅延評価
- 高速アレイ動作とデータ保持特性の改善を両立可能なDRAMアーキテクチャー
- 低電圧DRAMに適したプリチャージド・キャパシタ補助・センス方式