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三菱電機株式会社ulsi技術開発センター | 論文
- 低電圧DRAMに適したプリチャージド・キャパシタ補助・センス方式
- 低電圧DRAMに適したプリチャージド・キャパシタ補助・センス方式
- 2)石英基板上のポリシリコン薄膜トランジスタアレイ(画像表示研究会(第75回))
- 135GHz-f_ 70nm SOI-CMOS技術
- 1.8V,2.5GHz動作マルチプレクサ/デマルチプレクサ M69897VP/M69899VP (特集 IT時代におけるLSI)
- 多結晶シリコン薄膜トランジスタを利用した人口指紋デバイスによるセキュリティーの作りこみ
- 歩留まりに影響する致命不良を抽出する故障解析システム
- ED2000-112 / SDM2000-94 / ICD2000-48 スキュー及びジッターを低減可能な、DDR-SDRAMに適したDLL回路構成に関する提案
- ED2000-112 / SDM2000-94 / ICD2000-48 スキュー及びジッターを低減可能な、DDR-SDRAMに適したDLL回路構成に関する提案
- ED2000-112 / SDM2000-94 / ICD2000-48 スキュー及びジッターを低減可能な、DDR-SDRAMに適したDLL回路構成に関する提案
- SSTL_3インタフェースによる信号入力特性の改善
- SSTL_3インタフェースによる信号入力特性の改善
- 64ビット縮退テストモードを搭載した16MビットシンクロナスDRAM
- マルチプルレジスタ方式によるシンクロナスDRAMの180MHz読みだし動作
- 薄い酸化膜の極微小電流測定による信頼性評価
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- スキュー及びジッターを低減可能な,DDR-SDRAMに適したDLL回路構成に関する提案
- フィールドシールド分離によるSOI/CMOSデバイス技術