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(株)東芝ULSI研究所 | 論文
- 招待講演 MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM (集積回路)
- 学生実験のあり方について
- Tiバリア表面窒化プロセスによる低抵抗・高信頼性Cu配線の開発(配線・実装技術と関連材料技術)
- 積層型CCDセンサのランダム雑音の解析(固体撮像とその関連技術)
- 1)積層型CCDセンサのランダム雑音の解析(〔情報入力研究会 コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- 積層型CCDセンサのランダム雑音の解析 : 固体撮像関連 : 情報入力 : コンシューマエレクトロニクス
- 大容量Chain-FeRAM用高信頼微細キャパシタプロセス技術(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)
- 低消費電力DRAMを実現する1/4 Vccビット線振幅方式
- 携帯機器に適した低電圧・高速・高信頼性 16Mb MRAM(新メモリ技術とシステムLSI)
- プリプロセス形CCDイメージセンサ : 画素加算形1/3インチ16万画素CCD撮像素子 : 情報入力
- 混載メモリ用途に適した抵抗比読み出し型MRAM
- 混載メモリ用途に適した抵抗比読み出し型MRAM(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- マクロブロック入りSOG向き階層的概略配線
- 敷き詰め型ゲートアレイ用の詳細配線手法とその実験
- テトラクロロシラン-シリコン窒化膜によるボロン突き抜けの抑制および高性能デュアルゲートDRAMの実現
- テトラクロロシラン-シリコン窒化膜によるボロン突き抜けの抑制および高性能デュアルゲートDRAMの実現
- コンタクト同時埋め込みCu配線プロセス
- Dual Damascene によるCu配線形成
- Cu拡散防止用アモルファスTi-Si-N薄膜の検討
- 金属シリサイド技術の現状と課題