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(株)東芝ULSI研究所 | 論文
- 噴流による後ろ向きステップ下流の再付着領域の熱伝達特性の制御に関する研究 : 第1報,噴流位置および噴流速度の効果について
- Chain FeRAM技術概要とScalingに適したShield-Bitline-Overdrive技術(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 微細MOSトランジスタの特性揺らぎの問題
- MOSFETの特性ゆらぎによるULSIの限界
- 多孔質低誘電率膜CMP時の誘電率評価(配線・実装技術と関連材料技術)
- 可変リファレンス回路とダブルワード線パルス回路を搭載した3V動作1T1C型1Mビット強誘電体メモリ
- 2層Al配線を用いた1Mビット強誘電体メモリー技術
- プリプロセス型CCDカメラ : CCDカメラの高感度化と広ダイナミックレンジ化
- カラーシンクロビジョンCCDイメージセンサ(固体撮像技術)
- 単層メタル電極CCDイメージセンサの検討(固体撮像とその関連技術)
- 5-7 2/3イン200万画素スタックCCDの固定パターン雑音の低減
- 27-1 2/3インチ200万画素スタックCCD実験カラーカメラ
- 3)2/3インチ200万画素スタックCCD([情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会]合同)
- 2/3インチ200万画素スタックCCD : 情報入力,コンシューマエレクトロニクス
- 容量性残像のない200万画素PSID : 情報入力,コンシューマエレクトロニクス
- HDTV用200万画素積層構造CCDイメージセンサ : 方式・回路 : 電子装置
- 2-12 CCD用高感度電荷検出器
- 2-4 アモルファスシリコン膜積層型200万画素CCDイメージセンサ
- 2/3インチ200万画素スタックCCDカラーカメラの高ダイナミックレンジ化(固体撮像とその関連技術)
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