MOSFETの特性ゆらぎによるULSIの限界
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概要
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約0.7mm^2面積内の8192個のMOSFETアレイを用いて,ゲート長Lが0.1μm領域のしきい値電圧及び相互コンダクタンスのゆらぎを実験的に明らかにした.0.1μm領域では,チャネル領域の不純物個数の統計的ゆらぎに加えて,ゲート長のゆらぎによって特性ゆらぎが増大することがわかった.また,ULSIレベルのしきい値電圧のゆらぎは,0.2μm以下で0.1V以上になると見積もられる.従って,微細化と供に基板不純物濃度N_aを高くする従来のスケーリング方法に代わって,0.2μm以下ではN_aを低減化する新たなスケーリング則を導入した.この場合,短チャネル効果は,N_aを高くする方法以外の手段によって,抑制する必要がある.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-07-27