貫通シリコンビアとアクティブインタポーザを用いた4096 bit幅100 GByte/秒ワイドI/Oの設計と診断(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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概要
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貫通シリコンビア(TSV)技術によりメモリチップ、インタポーザチップ、およびロジックチップの三層積層構造による4096 bit幅の超ワイドI/Oバス実証デバイスを設計・試作し、ロジックチップとメモリチップ間で100 GByte/秒のデータ転送を0.56 pJ/bitの消費エネルギーで実現した。また、インタポーザチップには、TSVバスを通過する信号や電源ネットワークの波形を三次元積層チップの内部でその場観測するためのオンチップモニタを搭載した。超ワイドバスの最高データ転送レートにおいて、アイ開口は十分に広く、また電源ノイズも良く抑制されていることを確認するとともに、三次元積層チップにおける信号や電源の完全性診断に有効であることを示した。
- 2013-07-25
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