薄膜BOX-SOIを用いた超低電圧向けレベルシフタ回路の検討(設計手法,システム設計及び一般)
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概要
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FD-SOIのデバイスの一つである薄膜BOX-SOI(Silicon on Thin Buried Oxide:SOTB)は、Vthばらつきを抑えることができるため、論理回路の更なる低電源電圧化を図ることができる。超低電圧の信号の変換に既存のレベルシフタを用いると、レベルシフタ内部の貫通電流により消費電力が非常に大きくなってしまう問題がある。この問題を解決するために、本論文では薄膜BOX-SOIを用いた超低電圧向けレベルシフタを提案する。提案するレベルシフタにより、従来回路よりも大幅に省電力で超低電圧の信号を通常電圧の信号に変換できることを示す。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-05-09
著者
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