中性子起因SEMTの電源電圧及び基板バイアス依存性測定(デイペンダブル設計(2),デザインガイア2012-VLSI設計の新しい大地-)
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概要
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本稿では,中性子起因一過性複数パルス(SEMT)の測定結果を示す.まずSEMT測定回路を提案し,65nmプロセスで試作したテストチップを用いてSEMTの電源電圧・基板バイアス依存性を評価する.測定結果から,同一ウェル内の6個の隣接したインバータで同時にパルスが発生しうること,一過性パルス(SET)に占めるSEMTの割合が,電源電圧0.7V,逆基板バイアス印加時に40%に達することを示す.また,SEMTの空間的な分布とソフトエラー有感領域間の距離の関係も議論する.最後に,一過性単一パルス(SEST)と一過性単一反転(SESU)の発生確率から,SEMTの測定結果の妥当性を検証する.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-11-19
著者
-
橋本 昌宜
大阪大学大学院情報科学研究科
-
原田 諒
大阪大学大学院情報科学研究科
-
Onoye Takao
Faculty Of Engineering Osaka University
-
Onoye Takao
Department Of Communications And Computer Engineering Kyoto University
-
尾上 孝雄
大阪大学大学院工学研究科情報システム工学専攻
-
原田 諒
大阪大学 大学院情報科学研究科
-
密山 幸男
高知工科大学システム工学群
-
密山 幸男
高知工科大学
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