サブスレッショルド回路における基板バイアスを考慮したトランジスタのばらつきモデリングとリングオシレータを用いた検証(低消費電力設計,システムオンシリコンを支える設計技術)
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概要
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本稿では,90nmプロセスで試作したテストチップを用いて,サブスレッショルド回路における製造ばらつきのモデリングと基板バイアスによる回路性能制御性の評価を行う.試作した測定回路は,トランジスタ単体特性を測定する回路とリングオシレータの発振周期を測定する回路をアレイ状に配置したものである.本回路を用いて,トランジスタ特性測定からばらつきモデルを抽出し,リングオシレータの発振周期測定の結果を用いてばらつきモデルの検証行う.また,基板バイアスについても同様の検証を行い,基板バイアスによる性能制御性のモデリングを行う.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-03-04
著者
-
尾上 孝雄
大阪大学大学院情報科学研究科
-
密山 幸男
大阪大学大学院情報科学研究科
-
橋本 昌宜
大阪大学大学院情報科学研究科
-
尾上 孝雄
大阪大学大学院情報科学研究科情報システム工学専攻
-
Onoye T
Kyoto Univ. Kyoto‐shi Jpn
-
Onoye Takao
Faculty Of Engineering Osaka University
-
Onoye Takao
Department Of Communications And Computer Engineering Kyoto University
-
Onoye Takao
Graduate School Of Engineering Osaka University
-
橋本 昌宜
大阪大学大学院情報科学研究科情報システム工学専攻
-
更田 裕司
大阪大学情報科学研究科情報システム工学専攻
-
更田 裕司
大阪大学大学院情報科学研究科
-
Onoye Takao
Osaka Univ. Suita‐shi Jpn
-
橋本 昌宜
大阪大
-
橋本 昌宣
大阪大学情報科学研究科情報システム工学専攻
-
尾上 孝雄
大阪大学大学院工学研究科情報システム工学専攻
-
密山 幸男
大阪大学大学院工学研究科
-
密山 幸男
高知工科大学システム工学群
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