レイアウトを考慮した基板バイアスクラスタリング手法(低消費電力設計,システムオンシリコンを支える設計技術)
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概要
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近年、基板バイアス制御によるLSIの性能補償に関する研究が多く行われている。従来、回路ブロックが基板バイアス制御の空間的粒度となっていたが、回路ブロック内のゲートをクラスタ化することで性能補償時のリーク電力を減らす試みが提案されている。しかし、従来研究ではクラスタリングの際にレイアウトが考慮されていない。また、製造後の性能補償にかかるコストが大きいという問題がある。本研究では、低コストな製造後の性能補償手法を考え、それを実現するためのレイアウトを考慮した基板バイアスクラスタリング手法を提案する。超低電圧回路に提案手法を適用した実験結果により本手法の有効性を示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-03-04
著者
-
密山 幸男
大阪大学大学院情報科学研究科
-
橋本 昌宜
大阪大学大学院情報科学研究科
-
尾上 孝雄
大阪大学情報科学研究科
-
尾上 孝雄
大阪大学大学院情報科学研究科情報システム工学専攻
-
尾上 孝雄
京都大学 大学院 情報学研究科 通信情報システム専攻
-
Onoye T
Kyoto Univ. Kyoto‐shi Jpn
-
Onoye Takao
Faculty Of Engineering Osaka University
-
Onoye Takao
Department Of Communications And Computer Engineering Kyoto University
-
Onoye Takao
Graduate School Of Engineering Osaka University
-
橋本 昌宜
大阪大学大学院情報科学研究科情報システム工学専攻
-
濱本 浩一
大阪大学情報科学研究科
-
橋本 昌宜
大阪大学情報科学研究科情報システム工学専攻
-
密山 幸男
大阪大学情報科学研究科
-
Onoye Takao
Osaka Univ. Suita‐shi Jpn
-
橋本 昌宜
大阪大
-
橋本 昌宣
大阪大学情報科学研究科情報システム工学専攻
-
密山 幸男
高知工科大学システム工学群
-
橋本 昌宜
大阪大学情報科学研究科
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