パワーゲーティングにおけるラッシュカレント評価のための大規模LSIモデル構築の一提案(低電力設計,デザインガイア2010-VLSI設計の新しい大地-)
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概要
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近年のLSIの微細化や用途の多様化に伴い,消費電力の占める割合が動的消費電力から静的消費電力へと移行しており,リーグ電力が問題視されている.このリーグ電力はパワーゲーテイング手法であるMTCMOS回路を用いる事で,削減する事が可能である.しかし,MTCMOSを用いることで,リーグ電力を削減できるというメリットがある一方で,ラッシュカレントなどが発生するというデメリットについても考慮する必要がある.実際のLSIにMTCMOS回路を組み込み実装するためには,実LSI規模の回路でどれはどのラッシュカレントが発生するか検証し解析する必要がある.そこで本稿では実LSI規模の回路に似せた仮想大規模回路の電源管理時におけるラッシュカレント評価環境の構築方法を提案する.
- 2010-11-22
著者
-
福井 正博
立命館大学理工学部
-
築山 修治
中央大学理工学部
-
築山 修治
中央大学大学院理工学研究科
-
築山 修治
中央大学理工学部電気電子情報通信工学科
-
福井 正博
立命館大学理工学部電子情報デザイン学科
-
宮島 淳企
立命館大学理工学部電子情報デザイン学科
-
山内 寛人
立命館大学理工学研究科
-
鷲見 智彦
立命館大学理工学部
-
福井 正博
立命館大学
-
福井 正博
立命館大 理工
-
宮島 淳企
立命館大学理工学研究科
-
築山 修治
中央大学理工学研究科
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