電圧および温度変動を考慮した遅延ばらつきモデル構築の一手法(製造性考慮設計,システムオンシリコンを支える設計技術)
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概要
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トランジスタのしきい値電圧Vtのばらつきに影響を与える,酸化膜厚とイオン打ち込み濃淡に関するばらつきデータの特性と,Vtばらつきの関係から,ばらつきの相関係数を推定する手段を提案する.同手段を用いて,パス遅延を構成する各ゲートの遅延モデルを提供し,活用するための手法とその評価について報告する.
- 2010-03-03
著者
-
福井 正博
立命館大学理工学部
-
築山 修治
中央大学理工学部
-
築山 修治
中央大学大学院理工学研究科
-
築山 修治
中央大学理工学部電気電子情報通信工学科
-
福井 正博
立命館大学理工学部電子情報デザイン学科
-
柳川 英輝
立命館大学理工学部
-
三木 陽正
立命館大学理工学研究科
-
福井 正博
立命館大学
-
福井 正博
立命館大 理工
-
築山 修治
中央大学理工学研究科
-
三木 陽正
立命館大学大学院理工学研究科
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