バッファー成長法によるπ共役有機薄膜の高品質化(<小特集>Buffer層を中心としたエピタキシーの新展開)
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概要
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近年注目を浴びている有機エレクトロニクスの今後の展開には,デバイス特性向上のための結晶性の高い薄膜の作製がキーポイントとなる.新規半導体材料であるGaNやZnOでは,バッファー層の導入を始めとする様々な手法がブレークスルーとなって,実用化への道が開けたことからも,有機薄膜においても類似のコンセプトによってブレークスルーをもたらす可能性があると考えられる.我々はπ共役有機薄膜に対して,従来のバッファー層の役割である格子ミスマッチの緩和とは異なる概念でバッファー層の導入を行うことにより,成長様式の制御と結晶性の向上を図ることができた.デバイス応用を視野にいれた有機薄膜の配向制御という観点で最近の研究状況を報告する.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2005-06-30
著者
-
鯉沼 秀臣
東京大学工学部工業化学科
-
伊高 健治
東大工
-
南風盛 将光
東京工業大学応用セラミックス研究所
-
伊高 健治
東京大学
-
伊高 健治
科学技術振興機構,CREST
-
山城 貢
東京工業大学応用セラミックス研究所
-
山口 潤
東京工業大学応用セラミックス研究所
-
鯉沼 秀臣
科学技術振興機構,CREST
-
伊高 健治
東京大学大学院 新領域創成科学研究科
-
鯉沼 秀臣
科学技術振興機構 Crest:東京工業大学応用セラミックス研究所:物質・材料研究機構
-
伊高 健治
東京大学新領域創成科学研究科
-
鯉沼 秀臣
東京大学新領域創成科学研究科
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