Reduction in Operating Current of High-Power 660nm Laser Diodes Using a Transparent AlGaAs Cap Layer
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 2002-04-30
著者
-
上田 裕清
神戸大学 大学院工学研究応用化学専攻
-
Sawada Minoru
Central Research Laboratories Zeria Pharmaceutical Co. Ltd.
-
Shono Masayuki
Materials And Devices Development Center Business Unit Sanyo Electric Co. Ltd.
-
Hiroyama Ryoji
Materials & Devices Development Center Bu Sanyo Electric Co. Ltd.
-
Ueda Yasuhiro
Microelectronics Research Center, SANYO Electric Co., Ltd.
-
Nomura Yasuhiko
Materials And Devices Development Center Business Unit Sanyo Electric Co. Ltd.
-
INOUE Daijiro
Microelectronics Research Center, SANYO Electric Co., Ltd.
-
SAWADA Minoru
Microelectronics Research Center, SANYO Electric Co., Ltd.
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HIROYAMA Ryoji
Microelectronics Research Center, SANYO Electric Co., Ltd.
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NOMURA Yasuhiko
Microelectronics Research Center, SANYO Electric Co., Ltd.
-
SHONO Masayuki
Microelectronics Research Center, SANYO Electric Co., Ltd.
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Inoue Daijiro
Materials & Devices Development Center Bu Sanyo Electric Co. Ltd.
-
Inoue Daijiro
Microelectronics Research Center Sanyo Electric Co. Ltd.
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Ueda Yasuhiro
Materials And Devices Development Center Business Unit Sanyo Electric Co. Ltd.
-
Hiroyama Ryoji
Microelectronics Research Center Sanyo Electric Co. Ltd.
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