けい光像増強装置の医学への応用MEDICAL APPLICATIONS OF FLUOROSCOPIC IMAGE INTENSIFICATION I, II, III, by GEORGE HENNY, HERBERT M.STAUFFER, JOHN KIRKPATRICK(IRE TRAN, ON MEDICAL ELECTRONICS Vol.ME-6 No.2.1959)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1959-10-01
著者
関連論文
- 次世代画像入力技術(映像情報メディア年報)
- 5.次世代画像入力(5.次世代画像入力)(映像情報メディア年報)
- 11.次世代画像入力(テレビジョン年報)
- 次世代ディジタルカメラの技術動向
- 21世紀への夢(テレビジョン学会創立40周年記念パネル討論会)
- 光電陰極を用いたレーザ通信復調用進行波管
- 4)Au/p型α-SiC : H/α-Si : H/n型C-Si構造フォトダイオードにおける光電流・暗電流のn型C-Si不純物濃度依存性(情報センシング研究会)
- Au/p型a-SiC : H/a-Si : H/n型c-Si構造フォトダイオードにおける光電流・暗電流のn型c-Si不純物濃度依存性
- 12-6 バンドオフセットを持つa-Si : H系傾斜フォトダイオード
- 5)α-Si : H/α-Si_Cx : H傾斜超格子構造を用いた光電変換膜による光電流増倍(情報センシング研究会)
- a-SiC:H/c-Siヘテロ接合バンドオフセットを利用したアバランシェフフォトダイオード
- 2-2 バンドオフセットを持つa-Si : H系傾斜フォトダイオードの光電変換特性
- 2-17 アバランシェ増幅型固体撮像素子の出力変動
- 2-16 アバランシェ増幅型固体撮像素子の動作解析
- アバランシェ増幅型光センサーの電荷蓄積動作シミュレーション
- アバランシェ増幅型センサの動作モード : 電子装置 : 画像表示(画像デバイス)
- 2-10 電荷蓄積モードで動作するアバランシェ・ホトダイオードの出力ゆらぎ
- 4-6 アバランシェ・ホトダイオードによる新しい撮像動作
- 4-5 アバランシェ・ホトダイオードの電荷蓄積動作-計算機シュミレーション
- MOSFETのサブ閾値領域の特性を利用した対数的光電変換素子(論文固体撮像技術)
- 1) MOSFETのサブスレッショルド特性を利用した対数的光電変換素子(〔情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- MOSFETのサブスレッショルド特性を利用した対数的光電変換素子 : 情報入力,コンシューマエレクトロニクス
- 2-3 MOS-FETのサブスレッショルド特性を利用した対数的光電変換素子
- 5)オプティカルフロー検出の精度向上とデバイスへの応用(情報入力研究会)
- 3-1 撮像・記憶デバイスの構成と書き込み感度
- 4.2色および3色撮像管
- 導電性ダイアモンド状炭素膜を被覆した微小電子源の電子放出特性
- 7)電界放出微小エミッタを用いた高感度光検出素子 : 広ダイナミックレンジ化
- 2-1 電界放出型光検出素子の広ダイナミックレンジ化
- 電界放出微小エミッタを用いた高感度光検出素子 : 広ダイナミックレンジ化
- 2-1 堆積ボルカノ型エミッタの電子放出特性
- 3-11 a-Siを用いた撮像管
- アバランシェ増幅型固体撮像素子の動作と光電変換特性 : 情報入力情報ディスプレイ(画像変換装置特集)
- 4-13 マルチフローティングゲート電荷検出法と雑音
- 3-2 対数的光電変換と空間微分
- 3-8 繊維光学板を利用した多段形イメージ管(第二報)
- 12-8 GaAs発光ダイオードによる表示板の試作
- 1)NEA冷陰極の放出電子密度分布(テレビジョン電子装置研究会(第87回)画像表示研究会(第46回))
- NEA冷陰極の放出電子密度分布
- 22-2 a-Si_3N_4膜をブロッキング層としたSAM型a-Si : H薄膜フォトダイオード
- 1)a-Si : H/a-SiC : Hヘテロ接合SAM型フォトダイオードの光電流増倍(〔情報入力研究会情報ディスプレイ研究会コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- a-Si : H/a-SiC : Hヘテロ接合SAM型 : フォトダイオードの光電流増倍
- 2-1 低電圧駆動の高利得a-Si : H光センサ
- 1-9 a-Si : H, a-SiC : H埋め込みp-i-nフォトダイオードのセンサ特性
- 9-3 撮像(9.材料およびデバイス)(テレビジョン年報)
- 26)アバランシェホトダイオードの電荷蓄積動作(〔テレビジョン電子装置研究会 画像表示研究会〕合同)
- 3-1 アバランシェホトダイオードの光励起電荷蓄積動作
- 9)アバランシェ増幅型センサの動作モード(〔テレビジョン電子装置研究会画像表示研究会〕合同)
- 1)2次元CCD撮像デバイスの検討(第50回 テレビジョン電子装置研究会)
- 1)2層配線構造CCDの特性({第47回 テレビジョン電子装置研究会 第5回 画像表示研究会}合同研究会)
- 3-11 二次元CCD撮像デバイスの検討
- 5-4 アモルファスシリコン光導電膜の光電流増倍
- 液相成長法によるGaP発光ダイオードの熱処理効果 : イオン結晶・光物性
- 1)ダイオードマトリックスを用いた表示装置(第91回テレビジョン用電子管研究委員会)
- 2-4 a-Si : H p-i-n(SI sub.)アバランシェフォトダイオードの光電流増倍および暗電流発生機構の検討
- 2-3 a-Si傾斜超格子フォトダイオードの光電流特性
- 2-2 電界放出型微小エミッタを用いた高感度光電面の製作
- 3)α-Si : H傾斜超格子フォトダイオードの光電流増倍(情報入力研究会)
- a-Si : H傾斜超格子フォトダイオードの光電流増倍
- 5-2 a-Si : H傾斜超格子フォトダイオードの光電流増倍
- 3-1 MNOS光メモリ素子の光書き込み特性
- 電界放出微小電子源型高感度光センサの広ダイナミックレンジ化(■固体撮像とその関連技術)
- バンドオフセットを持つa-Si:H系傾斜薄膜を用いたアバランシェ増幅型光センサ
- 12-4 5ミクロン以上の赤外光を検出可能な電子放出デバイスの研究
- ディジタルカメラに関連した画像入力技術の動向
- 2-4 ミリコンNEA冷陰極の電子ビーム特性
- 2)CCDの撮像装置への応用に関する実験(第37回テレビジョン電子装置研究会)
- 3-25 固体撮像装置におけるチャージポンピング効果
- 5.撮像・センシング技術の21世紀への期待と課題(20世紀の撮像・センシング技術と21世紀への期待と課題)
- 国際画像入力シンポジウム報告
- 小特集関連用語一口解説 (高感度撮像技術)
- (2. 光導電型撮像管 撮像デバイス) 2-2シリコンビジコン
- 反射型イメージ管の結像機構の解析
- 半導体電荷転送デバイス
- 1)Siビジコンの電子的色分離機能を用いた簡易カラーカメラ(第43回テレビジョン方式・回路研究会)
- 6)Siターゲットの電子的色分離機能を用いたカラー撮像管(第40回テレビジョン電子装置研究会)
- 3)集積化MOST撮像デバイス(第37回テレビジョン電子装置研究会)
- 集積化Si撮像デバイスとその設計
- 13-1 集積化固体スキャナーのファクシミリへの応用
- 3-27 電荷蓄積型固体スキャナー
- 2) CCDとそのテレビへの応用(第29回 テレビジョン方式回路研究委員会)
- 5-1 新しく見出された物性を利用した走査(5.走査に関連した最近の話題)(画像走査)
- 電界効果トランジスタを用いた走査パルス発生IC
- けい光像増強装置の医学への応用MEDICAL APPLICATIONS OF FLUOROSCOPIC IMAGE INTENSIFICATION I, II, III, by GEORGE HENNY, HERBERT M.STAUFFER, JOHN KIRKPATRICK(IRE TRAN, ON MEDICAL ELECTRONICS Vol.ME-6 No.2.1959)
- 3-22 走査パルス発生ICを内蔵した固体スキャナー
- 3-14 MOSTを用いた固体撮像装置
- 6) 電界効果を用いた自己走査形光電変換素子(第17回 視覚研究委員会, 第16回 固体画像変換装置研究委員会)
- 3) シリコン撮像IC(第18回 テレビジョン方式回路研究委員会)
- 1)集積化走査パルス発生器(第7回 テレビジョン方式回路研究委員会)
- 低速度電子の反射現象に伴う電子ビームの変調効果
- 7-11 Siフオトトランジスターを用いた一次元光電変換器の撮像特性
- 7-10 集積化走査パルス発生回路
- 2)低速度電子の反射現象に伴う電子ビームの変調効果(第2回テレビジョン電子装置研究委員会)
- イメージ管の情報伝達容量
- 65-291 光を用いたスイッチング装置, T.E.Bray : Switching with Light, Electronics, Vol.38,No.22,Nov.1,(1965)58-65
- 反射形イメージ管による表面電位の測定
- 4-2 反射形イメージ管の表面電位とコントラスト
- 反射形イメージ管におけるパターン発生の機構