単結晶GaAs積層型AMI
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概要
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高感度で低残像な撮像素子の開発を目的に、単結晶GaAsを光電変換部に用いた積層型AMIを試作した。GaAsでは、単一フォトダイオードの測定において、10V以下の低電圧で光電流が10^2〜10^6倍にも増倍され、また、応答も速いことが報告されている。本研究は、このような性質を持つGaAsを適用して、撮像素子の飛躍的な感度向上を図ろうとするものである。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
安藤 文彦
Nhk放送技術研究所
-
安藤 文彦
Nhk放送技術研究所 立体映像音響
-
安藤 文彦
Nhk技研
-
荒木 秀一
オリンパス
-
小杉 美津男
NHK放送技術研究所
-
安藤 文彦
NHK 放送技術研究所
-
小杉 美津男
NHK 放送技術研究所
-
安藤 文彦
Nhk 技研
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