増幅型固体撮像素子AMIにおける固定パターン雑音の解析
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概要
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2/3インチ型25万画素で試作した増幅型固体撮像素子AMIの固定パターン雑音(FPN)の成因を調べた結果, 暗時のFPNの主たる原因は, 各画素毎に持っている増幅用FETの閾値電圧の不揃いであり, 利得の不均一や, フォトダイオードの暗電流の不均一によるものではないことが明らかとなった.暗時に観測されるFPNの値は飽和信号量に対して-56.0dB(rms)であり, 増幅用FETの閾値電圧に換算すると約±12mV(pp)の不均一性に相当することがわかった.また, このFPNは加算性成分であるため, メモリーを用いた減算処理で他の特性に何の影響も与えずに18dB以上の改善が25万画素AMIでもリアルタイムでできることを確認した.一方, 光入射時に観測されるFPNは, 開口率, 光電変換率, 浮遊容量の各不均一性が総合されたものであることも明らかとなった.これは入射光に比例するFPNなので, 実際の画面上では見えにくい.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1990-01-20
著者
-
菅原 正幸
NHK放送技術研究所
-
宮田 憲治
オリンパス光学
-
富田 憲治
オリンパス光学工業株式会社
-
安藤 文彦
Nhk放送技術研究所
-
安藤 文彦
Nhk放送技研
-
安藤 文彦
Nhk放送技術研究所 立体映像音響
-
安藤 文彦
Nhk技研
-
竹歳 和久
NHK放送技術研究所
-
竹歳 和久
NHK総合技術研究所
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